Transistores

C (pol.): 530pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 365P. Marcação na caixa: 365 P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Inversores, fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SUPERSOT-6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23/6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: .638. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 33 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: 420. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Função: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Nota: serigrafia/código SMD 420

C (pol.): 700pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 642. Marcação na caixa: 642. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 630pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 250uA. Nota: serigrafia/código SMD FDC642P. Marcação na caixa: FDC642P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.2W. On-resistência Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23.5 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2085pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Tecnologia de valas de alto desempenho’. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 58A. Idss (máx.): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Marcação na caixa: FDD4141. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. On-resistência Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. C (pol.): 759pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Marcação na caixa: FDD5614P. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.076 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FDD5690. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1110pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 0.0088 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1715pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1400pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 59A. Marcação na caixa: FDD6635. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5070pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 8.2M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 69 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1715pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 575pF. Custo): 64pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 56.8W. On-resistência Rds On: 61m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15.8 ns. Td(ligado): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1970pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 15.2A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FDD8447L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. On-resistência Rds On: 0.085 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 880pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FDH45N50F. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 215 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6630pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 7.5A. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor MOSFET duplo de canal N, 30V, Mosfet PowerTrench . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): Power-56-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2. Função: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 306. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 61 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1138pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 451pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Gerenciamento de bateria. Id(im): 5A. DI (T=25°C): 1.6A. Idss (máx.): 0.1uA. IDss (min): n/a. Nota: serigrafia/código SMD 338. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.088 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V

C (pol.): 182pF. Custo): 56pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Single P-Channel, Logic Level. Id(im): 5A. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 358. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 618. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 430pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2200pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 72A. DI (T=100°C): 10.8A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS