Transistores

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: V-MOS. DI (T=25°C): 3.2A. Idss (máx.): 3.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. Tensão Vds(máx.): 800V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 4.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 734pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Número de terminais: 2. Spec info: transistor complementar (par) BUZ901. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Tecnologia: TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 80W. Frequência máxima: 4MHz. Carcaça: TO-220AB (MJE13007)

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v

C (pol.): 40pF. Custo): 14pF. Tipo de canal: N. Função: Transistor IGBT duplo (isolado). Corrente do coletor: 200A. Ic(pulso): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Dimensões: 108x62x31mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 250 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Número de terminais: 7. Spec info: Comutação de alta potência. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: transistor complementar (par) CSD1133

C (pol.): 260pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 57A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 6. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 17W. On-resistência Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 4.2 ns. Td(ligado): 2.8 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Carcaça: WSON6. Habitação (conforme ficha técnica): Caixa de plástico de 2 mm × 2 mm. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Custo): 130pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H11G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H8G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: S-L, Low-sat. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 90 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) D45VH10. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Equivalentes: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D45H11G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 40 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D45H8G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 40 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -15A. Potência: 83W. Frequência máxima: 50 MHz. Carcaça: TO–220AB

RoHS: sim. Família de dispositivos: Ferramenta. Tipo de ferramenta: variedade de 24 ferramentas

C (pol.): 37pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 600A. Ic(pulso): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Dimensões: 172x89x37mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3350W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.7 ns. Td(ligado): 0.21 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Número de terminais: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Função: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: C3025LS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.2V/-2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11.2 ns/7.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 590/631pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Família de componentes: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C