Transistores

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUL45D2G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Transistor de potência NPN bipolar de alta velocidade e alto ganho. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 22. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: alta velocidade. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 1.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-218. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUP313. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 32A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 530 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Corrente máxima do coletor (A): 64A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 200V. Corrente do coletor: 70A. Potência: 350W. Carcaça: TO-3

Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 4us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tf 170ns

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, alta velocidade

Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Função: S-L, SN. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV20. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. Frequência de corte ft [MHz]: 8 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Material semicondutor: silício. Função: Projetado para aplicações de alta velocidade. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Tf(máx.): 150 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 CASE 221A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 190V. Vebo: 7V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: Velocidade de comutação rápida. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 120ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 15A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1