BUT18AF-PHI
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.55€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.32€ |
| 10 - 24 | 3.33€ | 4.10€ |
| 25 - 49 | 3.14€ | 3.86€ |
| 50 - 99 | 3.07€ | 3.78€ |
| 100 - 249 | 3.00€ | 3.69€ |
| 250+ | 2.88€ | 3.54€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.55€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.32€ |
| 10 - 24 | 3.33€ | 4.10€ |
| 25 - 49 | 3.14€ | 3.86€ |
| 50 - 99 | 3.07€ | 3.78€ |
| 100 - 249 | 3.00€ | 3.69€ |
| 250+ | 2.88€ | 3.54€ |
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
BUT18AF-PHI. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.
Produtos equivalentes :
BUT18AF
Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Cor...
Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, alta velocidade
Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, alta velocidade
Também recomendamos :
BUT11AF
Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BUW11A
Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do col...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
ULN2803A
RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado analógico. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça:...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
ULN2004AN
Equivalentes: ULN2004ANE4, ULN2004APG. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo P...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BU806
Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor Darlingt...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BAT17
RoHS: sim. Família de componentes: Diodo Schottky de pequeno sinal. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). C...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1-5KE10A
RoHS: sim. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: si...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BUT11A
Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máxi...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informações e ajuda técnica
Pagamento e entrega
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.