Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BUT11A

BUT11A
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BUT11A. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 4us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 18:25.

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Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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