Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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BUT18AF. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, alta velocidade. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipaçã...
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Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1
BUT18AF-PHI
Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1
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