BUW11A

BUW11A. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.