1-5KE10A

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1-5KE10A. Carcaça: DO-201. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.5V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500 W @ 1ms. Estrutura dielétrica: unidirecional. Função: proteção contra sobretensão. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). IFSM: 200A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 8.5V. Tensão de ruptura: 10V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tipo de supressor transitório: unidirecional. Tolerância: 5%. Ubr [V] @ Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 14:28

Documentação técnica (PDF)
1-5KE10A
25 parâmetros
Carcaça
DO-201
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]
10uA @ 8.5V
Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]
1500 W @ 1ms
Estrutura dielétrica
unidirecional
Função
proteção contra sobretensão
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-201 ( 9.0x5.0mm )
IFSM
200A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
1500W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão de retenção de direção fechada [V]
8.5V
Tensão de ruptura
10V
Tensão direta Vf (min)
3.5V
Tensão limite Vf (máx.)
5V
Tipo de supressor transitório
unidirecional
Tolerância
5%
Ubr [V] @ Ibr [A]
10.5V @ 1mA
Produto original do fabricante
Taiwan Semiconductor