Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BUT11AF

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BUT11AF. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tf 170ns
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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