STP55NF06

STP55NF06. C (pol.): 1300pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 200A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.