Transistores

Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor complementar (par) ZTX551. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 5pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 300mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor complementar (par) ZTX451. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 240 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.23V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX753. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Função: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX790

Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.17V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX653. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZTX758. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: Transistor PNP

Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 600 ns. Tf(min): 35us. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX690

Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 750 ns. Tf(min): 35us. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.45V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,95V

Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVN3306F. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 35pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. On-resistência Rds On: 10 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVP2110A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 100pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVP3306F. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.0V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 298pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.5 ns. Td(ligado): 1.9 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 70V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS