ZTX653

ZTX653. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX753. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.