ZTX851

ZTX851. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.