Transistores

Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 800pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1050pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 470pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 230 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para reguladores de tensão de modo de comutação. Id(im): 28A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: TK7P60W. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.7V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1350pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 30Ap. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: K8A65D. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10U1B. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 0.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 240V. Quantidade por caixa: 1

Função: SAMSUNG 0505-001417. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SMD SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 1A. Potência: 1W. Carcaça: TO-92

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 3A. Potência: 0.75W. Frequência máxima: 90MHz. Carcaça: TO-92

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 58 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7150pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6435pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 47 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4456pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5022pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 56 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 78 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6253pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 745pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 0.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 562pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: De alta velocidade.. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 18A. Ic(pulso): 35A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Diodo CE: sim

Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. Função: Vbe(sat)1.5V. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: com resistor de polarização Rbe. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: com resistor de polarização Rbe. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Marcação na caixa: H21. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Nota: serigrafia/código SMD H21

Marcação na caixa: H9C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Nota: serigrafia/código SMD H9C