TK6A65D

TK6A65D. C (pol.): 1050pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.