Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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TT2140LS

TT2140LS
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TT2140LS. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: com resistor de polarização Rbe. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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