Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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2SD2499. Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 ...
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Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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