Transistores

C (pol.): 2400pF. Custo): 650pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMESH™ MOSFET. Id(im): 136A. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W34NB20. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. On-resistência Rds On: 0.62 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Fontes de alimentação comutadas SMPS, conversores DC-AC. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 35A. Pd (dissipação de energia, máx.): 255W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: MDmesh II. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Idm--140Ap(pulsed). Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 4300pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 43NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 255W. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: MDmesh II. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Baixa resistência de entrada da porta. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3800pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 508 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: W45NM60. Pd (dissipação de energia, máx.): 417W. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1250pF. Custo): 128pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 22.4A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1154pF. Custo): 106pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 605 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W5NK100Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 2.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51.5 ns. Td(ligado): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W7NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Material semicondutor: silício. Função: HIGH SWITCH. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: alta velocidade. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 37W. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Número de terminais: 3. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SUP53P06-20. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 104W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SUP75N03-04. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 190 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 10742pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 187W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 3535pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 85A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Fonte de alimentação, conversor DC/DC. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Proteção GS: NINCS

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -20V. Corrente do coletor: -1A. Potência: 1W. Frequência máxima: 65MHz. Carcaça: TO-92

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -1A. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 150MHz. Carcaça: TO-92

Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Corrente do coletor: 7A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: ISOWATT218. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 5500pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo de germânio: Supressor . Corrente do coletor: 240A. Ic(pulso): 240A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 46 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3FS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 430V. Tensão porta/emissor VGE: 33V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Função: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diversos: flash, controle de estroboscópio. Tecnologia: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Função: comutação, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) TIP107. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Função: comutação, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) TIP102. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Custo): 2pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Nota: >1000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP120. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP122. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Frequência de corte ft [MHz]: silício. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) TIP127

Resistor B: sim. Resistor BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (pol.): TO-220. Custo): 200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: +150°C. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Função: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: transistor complementar (par) TIP127G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C