Transistores

Carcaça: TO-220. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -5A. Potência: 75W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: transistor complementar (par) TIP122

Resistor BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Custo): 300pF. Condicionamento: tubo de plástico. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Função: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: transistor complementar (par) TIP122G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP127. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP132. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 15000. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) TIP137

Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): 70pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: 8A. Ganho máximo de hFE: 15000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12V. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP132. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 60pF. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: Transistor de potência Darlington . C (pol.): 100V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP147 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP147T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP147. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 500. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) TIP142

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Resistor BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) TIP142T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -10A. Potência: 125W. Carcaça: TO-3P

Carcaça: TO-247. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP2955. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -15A. Potência: 90W. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Nota: transistor complementar (par) TIP3055. Spec info: Baixa tensão de saturação coletor-emissor

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP30. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) TIP2955. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Baixa tensão de saturação coletor-emissor

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 24. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP32C . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 160pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP34C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-247. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP33C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-247. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Data de produção: 1450. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 125W. Frequência máxima: 3MHz. Spec info: transistor complementar (par) TIP36C

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP35CG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): 45pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP33C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Spec info: transistor complementar (par) TIP35C

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP36CG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Custo): 80pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 6A. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-220

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP41C. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Potência: 65W

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -6A. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-220