TIP31C

TIP31C. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 24. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP32C . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.