Transistores

C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 94pF. Custo): 17.6pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 135 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.2A. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 1NK60ZR. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammopak. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: Capacidade melhorada contra ESD e protegida por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Função: STripFET™ Power MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 30V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Tipo de canal: N. Função: 2xN-CH 60V. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Função: STripFET™ II Power MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 20V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Tipo de canal: N-P. Função: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 11W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento duplo. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4. Nota: Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento duplo

Tipo de canal: N-P. Pd (dissipação de energia, máx.): 11W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 4

C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W10NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W10NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W10NK80Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3500pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 560 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: capacidade dv/dt extremamente alta, aplicações de comutação. Id(im): 33.2A. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W11NK100Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 98 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W11NK100Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 98 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3000pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 584 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ZenerProtect. Id(im): 36.8A. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W11NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 76 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Proteção GS: sim

C (pol.): 2620pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 635 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade ESD aprimorada . Id(im): 42A. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 10.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W12NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 3500pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 964ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade ESD aprimorada . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W12NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 88 ns. Td(ligado): 31 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Carcaça: TO-247. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: W13NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 13A. Potência: 150W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Número de terminais: 3. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Proteção GS: sim

C (pol.): 2000pF. Custo): 238pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50mA. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: W14NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção GS: sim

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 15A. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Potência: 350W. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 900V

C (pol.): 1630pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 68A. DI (T=100°C): 10.71A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 100nA. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: 18NM80. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W20NK50Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 30

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W20NM50FD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1380pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 214W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1450pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W20NM60. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1800pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 26NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: sim. Peso: 4.51g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1440pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 28N65M2. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim