STW20NM60

STW20NM60. C (pol.): 1450pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W20NM60. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.