STW20NK50Z

STW20NK50Z. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W20NK50Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 30. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.