Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STW11NK100Z

STW11NK100Z
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STW11NK100Z. C (pol.): 3500pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 560 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: capacidade dv/dt extremamente alta, aplicações de comutação. Id(im): 33.2A. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W11NK100Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 98 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 2800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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