IRFPG50

IRFPG50. C (pol.): 2800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.