Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STW11NK90Z

STW11NK90Z
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STW11NK90Z. C (pol.): 3000pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 584 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ZenerProtect. Id(im): 36.8A. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W11NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 76 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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