BUL6802

BUL6802. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 1.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.