Transistores

C (pol.): 1180pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 110us. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 690pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P36NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 27 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Função: trr 65ns, dv/dt eficiente

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1. Função: trr 65ns, dv/dt eficiente

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P36NF06L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 660pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 60.4k Ohms

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V

C (pol.): 400pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 13.2A. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NB60. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 440pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 10.4A. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. On-resistência Rds On: 4.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 3.5A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMESH III. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 900V

Tipo de canal: N. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 2.4A. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V

C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 590pF. Custo): 63pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 12A. DI (T=100°C): 1.89A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Tensão Vds(máx.): 800V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P4NK50Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 310pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 1.76 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 1.89A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener

C (pol.): 3050pF. Custo): 380pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 220A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NE06. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1300pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 200A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 220A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NF06L. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40ms. Td(ligado): 20ms. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 1.7V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P5NK100Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1154pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 690pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 485 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+ °C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim

C (pol.): 910pF. Custo): 98pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 17.2A. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Id(im): 17.2A. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 4.3A. Potência: 110W. Carcaça: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim

C (pol.): 1810pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 73ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 240A. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Custo): 360pF. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS