Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP60NF06

STP60NF06
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STP60NF06. C (pol.): 1810pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 73ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 240A. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Custo): 360pF. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 1812pF. Custo): 393pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 220A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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