Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4007

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1N4007. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Número de terminais: 2. Unidade de condicionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
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