Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N4007

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1N4007. VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30Ap/8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Produto original do fabricante Diotec. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.

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Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 27A. Carcaça: DO-213. Habitação (conforme ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 5000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--27Ap. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.7V
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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: 30Ap. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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