Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BY133

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BY133. RoHS: sim. Carcaça: DO-41. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
EM516
Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
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