Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP

Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP
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Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP. Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 1.51A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 9.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

Documentação técnica

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Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: sim. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F3NK80Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: sim. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F3NK80Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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