Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP3NA60

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STP3NA60. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 400pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 13.2A. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NB60. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
STP3NB60
C (pol.): 400pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 13.2A. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NB60. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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