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Transistor de canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V - STP3NA60

Transistor de canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V - STP3NA60
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Transistor de canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V - STP3NA60. Transistor de canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 12:25.

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Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 400pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Proteção GS: NINCS. Id(im): 13.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NB60. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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