Transistor de canal N STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 400pF. Custo): 57pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (min): 1uA. Id(im): 13.2A. Marcação na caixa: P3NB60. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24