STP30NF10

STP30NF10. C (pol.): 1180pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 110us. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.