Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP3NB80

STP3NB80
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STP3NB80. C (pol.): 440pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 10.4A. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. On-resistência Rds On: 4.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

Produtos equivalentes :

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STP3NK80Z

STP3NK80Z

C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns....
STP3NK80Z
C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
STP3NK80Z
C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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