Transistores

C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Proteção de diodo Zener. Proteção GS: sim

C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220FP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P10NK80ZFP. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1250pF. Custo): 210pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 42.8A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Viso 2000VDC. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P11NK40Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 930pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1000pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1000pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1630pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 612 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: P11NM80. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5200pF. Custo): 785pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 152 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 440A. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P120NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P12NM50. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 550V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P12NM50FP. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 550V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 44A. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 460pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 56A. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P14NF12. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 120V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2000pF. Custo): 238pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P14NK50ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Proteção de diodo Zener. Proteção GS: sim

C (pol.): 315pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 64A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P16NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 7 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Capacidade excepcional de dv/dt, baixa carga de porta. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 345pF. Custo): 72pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 64A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Low Gate Charge. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5100pF. Custo): 1270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 480A. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 200N4F3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: comutação, aplicações automotivas. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGHdv/dtCAP. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: II Power Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1. Nota: Low Gate Charge

C (pol.): 1300pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 192W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Baixa capacitância de porta. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1500pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P20NM60FP. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh™ MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 870pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 100us. Tensão limite do diodo: 1.5V. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Id(im): 104A. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P24NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1800pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 26NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS