Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP11NM60ND

STP11NM60ND
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STP11NM60ND. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

Documentação técnica

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C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . ...
STP13NM60N
C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 44A. Proteção GS: NINCS
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