STP12NM50

STP12NM50. C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P12NM50. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 550V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.