Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP11NB40FP

STP11NB40FP
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STP11NB40FP. C (pol.): 1250pF. Custo): 210pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 42.8A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Viso 2000VDC. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.

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C (pol.): 1100pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge. Id(im): 23A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Nota: Viso 2500V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220. Config...
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQPF8N60C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 45 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1255pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 81 ns. Td(ligado): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1
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C (pol.): 1500pF. Custo): 178pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 40A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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