Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQPF8N60C

FQPF8N60C
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FQPF8N60C. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQPF8N60C. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 45 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1255pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 81 ns. Td(ligado): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS
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