Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

FQPF8N80C

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1 - 4 2.17€ 2.67€
5 - 9 2.06€ 2.53€
10 - 24 1.95€ 2.40€
25 - 49 1.84€ 2.26€
50 - 99 1.80€ 2.21€
100 - 249 1.14€ 1.40€
250 - 716 0.43€ 0.53€
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Conjunto de 1

FQPF8N80C. C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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