FDD8878

FDD8878. C (pol.): 880pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.