IRF730

IRF730. C (pol.): 700pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 22A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.