Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Custo): 9pF. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 1.5A. Marcação na caixa: S8050 C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor BE: 4. Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: excelente linearidade hFE. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 95pF. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: excelente linearidade hFE. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Custo): 28pF. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Ganho máximo de hFE: 135. Ganho mínimo de hFE: 96. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: excelente linearidade hFE. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 270 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.45W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1750pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 440 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 36A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1150pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 415 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 16. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 13007A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Resistor BE: 50. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 12A. Marcação na caixa: ST13009L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Função: hFE 15...28. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ST13009L. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Custo): 122pF. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 3850pF. Custo): 650pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 120N4F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: Aplicações de comutação, Automotivo. Proteção GS: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: Amplificador de potência média. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) STD1862

C (pol.): 940pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: B12NM50N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 850pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 122 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: B12NM50ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (com diodo rápido). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 470pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Id(im): 52A. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D10NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 540pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.53 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 340pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 40A. DI (T=100°C): 7.2A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10P6F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 64 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 790pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 75. Proteção GS: sim

C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2000. Proteção GS: sim

C (pol.): 310pF. Custo): 49pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 12A. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 3A. Marcação na caixa: D4NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 500V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim