STB120N4F6

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	2.67€	3.28€
5 - 9	2.54€	3.12€
10 - 24	2.40€	2.95€
25 - 49	2.27€	2.79€
50 - 99	2.22€	2.73€
100 - 249	2.02€	2.48€
250 - 293	1.92€	2.36€

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Conjunto de 1

STB120N4F6. C (pol.): 3850pF. Custo): 650pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 120N4F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: Aplicações de comutação, Automotivo. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

Documentação técnica