SSS10N60A

SSS10N60A. C (pol.): 1750pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 440 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 36A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.