STB12NM50ND

STB12NM50ND. C (pol.): 850pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 122 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: B12NM50ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (com diodo rápido). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.