STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 75. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.