SS8050CTA
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
| 10 - 24 | 0.30€ | 0.37€ |
| 25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
| 50 - 99 | 0.27€ | 0.33€ |
| 100 - 213 | 0.26€ | 0.32€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
| 10 - 24 | 0.30€ | 0.37€ |
| 25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
| 50 - 99 | 0.27€ | 0.33€ |
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SS8050CTA. Custo): 9pF. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 1.5A. Marcação na caixa: S8050 C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.
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Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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